讲座名称：周惠久论坛——基于忆阻器芯片的高精度模拟计算

讲座时间：2025年12月23日  上午10:00

讲座地点：兴庆校区 仲英楼材料学院第一会议室（A245）

讲座人：孙仲 研究员

孙仲，国家级青年人才，北京大学研究员、博雅青年学者，IEEE高级会员。长期从事阻变存储器及新兴计算范式研究，如模拟计算、存内计算、类脑计算，相关论文发表在 Nature Electronics、Nature Communications、Science Advances、PNAS等期刊。多项研究成果连续被写入国际电子器件与系统发展路线图 (IRDS)，2019 年获意大利知识产权一等奖，2021 年入选国家高层次海外人才计划，2022 年获评中国智能计算科技创新人物，2025年获评算力中国·青年先锋人物。主持国家重点研发计划课题，国家自然科学基金优秀青年科学基金项目（海外）、面上项目、青年科学基金项目，北京市自然科学基金面上项目等科研项目。申请国际、国内专利14项，已授权9项。

讲座摘要：

面向后摩尔时代AI算力挑战，本报告介绍基于忆阻器的高精度模拟计算新范式。模拟计算通过物理量直接类比实现高并行计算，突破数字计算的抽象冗余与复杂度限制，理论上可将矩阵计算降至O(1)复杂度；同时基于忆阻器芯片实现存算一体，有效克服冯·诺伊曼架构瓶颈。我们研发了一系列模拟计算电路，支持矩阵求逆、广义逆、压缩感知还原等多种矩阵方程的高效求解。通过创新性电路设计与系统优化，成功突破模拟计算长期面临的精度与可扩展性难题，首次实现了与FP32数字精度等效的全模拟矩阵求解，并在大规模MIMO信号检测等任务中实现零误差计算。实验表明，该系统在同等精度下，计算速度较GPU（H100）单核提升1000倍，能效提高100倍，为信号处理、科学计算及AI训练提供高能效硬件新路径。相关工作获人民日报、新华社等中央媒体报道，并受到英国New Scientist等国际权威科技媒体的深度解读。

握手学术前沿，探究科学奥秘，材料学人在此齐聚，怎能没有你？讲座可盖章！

主办单位：

材料学院

金属材料强度全国重点实验室