周惠久论坛—新型低对称性半导体中点缺陷和杂质性质的计算研究
讲座名称：
周惠久论坛—新型低对称性半导体中点缺陷和杂质性质的计算研究
讲座时间：
2021-07-08
讲座人：
陈时友
形式：
校区：
兴庆校区
实践学分：
讲座内容：
讲座名称：周惠久论坛——新型低对称性半导体中点缺陷和杂质性质的计算研究
讲座时间：2021年7月8日 下午 15：00
讲座地点 ：仲英楼 材料学院 第一会议室 (A247)
讲座人：陈时友 研究员
讲座内容：
具有较高对称性四配位结构的半导体已在电子和光电器件中广泛应用。目前关于半导体缺陷和杂质性质的主要理论图像，都是基于这些体系建立起来的。对于某种缺陷和杂质应该表现出怎样的施主或者受主特征，已经有一些经验的基于价电子数目的判断规则。然而，随着各种新型结构半导体的涌现，特别是层状二维半导体和链状一维半导体的出现，其结构显著偏离四配位的成键方式，对称性很低，传统的理论图像是否在这些新型半导体体系中仍然成立是一个问题。基于密度泛函理论的第一性原理计算模拟为研究这些新型体系的缺陷和杂质性质提供了强大、高效的工具。本报告中我将对比传统的硅基半导体（包括Si、GaAs、GaN、CdTe、ZnGeP2等）和近年来新兴的低对称性化合物半导体（如Sb2Se3、Sb2S3、GeSe、WSe2等）在缺陷和杂质性质方面的差别，讨论基于传统四配位结构建立起来的缺陷和杂质性质理论图像的适用性，并介绍低对称性半导体中施主-受主自补偿引发的“缺陷关联”概念。
主办单位：
材料学院
金属材料强度国家重点实验室
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