周惠久论坛——后摩尔时代电子学:碳基技术的机遇与挑战

讲座名称: 周惠久论坛——后摩尔时代电子学:碳基技术的机遇与挑战
讲座时间 2020-09-05
讲座地点 中国西部科技创新港 躬行楼3-2014报告厅
讲座人 彭练矛
讲座内容
讲座名称:周惠久论坛——后摩尔时代电子学:碳基技术的机遇与挑战
讲座时间:2020年9月5日(星期六)15:30
讲座地点:中国西部科技创新港 躬行楼3-2014报告厅
讲座人:彭练矛院士
讲座内容:
随着硅基微电子器件尺度进入深亚微米后,后摩尔时代非硅电子学的发展备受瞩目。国际半导体技术路线图(ITRS)委员会2005年明确指出硅基CMOS技术将在2020年左右达到其性能的绝对极限。在可能的下一代技术中,ITRS委员会基于其新材料和新器件工作组的系统研究和推荐,2009年明确向半导体行业推荐碳基电子学,作为可能在未来10-15年显现商业价值的下一代电子技术,并给出了详尽的路线图和碳纳米管材料挑战。面向后摩尔时代,北京大学于1999年组建了碳基纳电子材料与器件研究团队。经过近二十年的努力,该团队在碳基电子器件相关材料和制备工艺的研究中取得系列突破,基本解决了ITRS给出的碳管材料挑战,发展了一整套碳管CMOS集成电路和光电器件的制备新技术,成为下一代信息处理技术强有力的竞争者;其核心为放弃掺杂,通过控制电极材料达到选择性地向晶体管注入电子或空穴,实现晶体管极性的控制,并首次制备出高性能对称碳管CMOS电路。2017年,首次基于碳管实现了栅长为5纳米的CMOS器件,证明器件在本征性能和功耗综合指标上相对硅基器件具有10倍以上的综合优势,并接近由量子测不准原理决定的电子器件理论极限。该团队的上述工作,2015年被Nature Index China选做北京的代表性创新工作之一,称其“代表着计算机处理器的未来”;2017年又被选为封面文章《中国的蓝芯未来》重点报道。《人民日报》(海外版)在《中国芯走出自强路》专文中评价该团队碳管晶体管的工作“是中国信息科技发展的一座新里程碑”。
主办单位:
材料学院
金属材料强度国家重点实验室 

握手学术前沿,探究科学奥秘,材料学人在此齐聚,怎能没有你?讲座可盖章!

讲座人介绍

彭练矛,北京大学教授。1982年毕业于北京大学无线电电子学系。1983年通过李政道先生主持的CUSPEA计划赴美, 于亚利桑那州立大学美国高分辨电子显微学中心进修,师从J.M. Cowley教授并于1988年获博士学位。1989年至英国牛津大学, 任M.J. Whelan 教授的研究助理。1990年被选为牛津大学Glasstone Fellow,国际电子显微学会联合会Presidential Scholar。1994年回国,获首届国家杰出青年科学基金资助。2019年当选中国科学院院士。主要研究领域为纳米结构、物性和相关器件。四次担任国家973计划和重点研发计划项目首席科学家,发表论文400余篇,被引21000余次,相关工作分获2010年度和2016年度国家自然科学二等奖;2000年度和2017年度“中国高等学校十大科技进展”;2000年度“中国基础科学研究十大新闻”和2011年度“中国科学十大进展”;全国科技创中心2018 年度重大标志性原创成果;13次被写入《国际半导体技术发展路线图》,为我国在此高技术领域抢占一席之地做出了重大贡献。

讲座视频 暂无视频

(转载文章,请注明出处: 西安交通大学学术资源平台 http://meeting.xjtu.edu.cn)

如果您有学术信息和动态,欢迎投稿,wuxuan@mail.xjtu.edu.cn。我们将在第一时间确认并收录