Talid R Sinno教授系列讲座二：Continuum Modeling of Defect Formation in Crystalline Silicon
讲座名称：
Talid R Sinno教授系列讲座二：Continuum Modeling of Defect Formation in Crystalline Silicon
讲座时间：
2018-05-19
讲座人：
Talid R Sinno
形式：
校区：
兴庆校区
实践学分：
讲座内容：
应能动学院刘立军教授、李早阳副教授的邀请，美国宾夕法尼亚大学Talid R Sinno教授将于2018年5月17-25日来我校进行合作研究和学术交流，并做半导体晶体材料生长过程多尺度模拟相关的系列学术讲座，欢迎各位老师和同学参加交流。
讲座二：
讲座题目：Lattice Kinetic Monte Carlo Simulations of Void Evolution in Silicon
讲座时间：5月19日（周六）上午10:00-12:00
讲座地点：东三楼甲222热流科学报告厅(东汽报告厅)
讲座人：刘立军教授（电话：13571802763）
讲座摘要：
This presentation will describe efforts in continuum modeling of defect transport and aggregation. First, native point defect phenomena are discussed with emphasis on the prediction of macroscopic features in CZ silicon ingots. The second part of the presentation is focused on the modeling of oxide precipitation in which both chemical and mechanical driving forces act simultaneously to generate defects.
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