Future nanoelectronic device technologies - high-k, nanowire, andalternative channel（未来纳米电子器件技术-高-k、纳米线和选择性频道）
讲座名称：
Future nanoelectronic device technologies - high-k, nanowire, andalternative channel（未来纳米电子器件技术-高-k、纳米线和选择性频道）
讲座时间：
2009-12-28
讲座人：
岩井洋
形式：
校区：
兴庆校区
实践学分：
讲座内容：
题目二 ：Future nanoelectronic device
technologies - high-k, nanowire, andalternative channel
（未来纳米电子器件技术-高-k、纳米线和选择性频道）
使用语言：英语
时 间：2009年12月28日下午3：30
地 点：机械工程学院二楼第三会议室
报告人：岩井 洋 教授
报告内容简介:
以高-k技术、纳米线技术和可选择性频道来讲述纳米电子器件技术的未来发展前景。并讲述未来纳米电子工业与技术的发展趋势。目前纳米电子技术的研究成果和存在的主要问题等。
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