美国斯坦福大学研究人员在最新一期《自然》杂志上报告说，用碳纳米管代替硅制造晶体管无法取得突破，主要因为作为半导体材料，碳纳米管有两方面内在缺陷：首先，碳纳米管很难被整齐排列形成晶体管电路。其次，由碳纳米管排列方式所致，被制成晶体管后，它们其中一部分像金属一样总是具有导电性，而不像其他半导体材料制成的晶体管那样可以开关电流。
    在用碳纳米管研制晶体管过程中，斯坦福大学研究人员找到一个双管齐下的方法规避上述缺陷，他们称之为“不受缺陷影响的设计”。一方面，研究人员设计出一种聪明的计算方法，可以自动忽略排列混乱的那部分碳纳米管。另一方面，他们将晶体管电路中总是具有导电性的那部分充电烧毁，结果就得到一个正常的电路。