第二届中德电子与内存材料双边研讨会

发布时间:2018-09-01 查看会议视频

【会议基本信息】
会议名称(中文): 第二届中德电子与内存材料双边研讨会
会议名称(英文): The 2nd Sino-German symposium on electronic and memory materials
所属学科: 工学
会议类型: 国际会议
会议论文集是否检索:
开始日期: 2018-09-05
结束日期: 2018-09-07
所在国家: 中国
所在城市: 西安市
具体地点: 西安交通大学 科学馆101
主办单位: 西安交通大学 亚琛工业大学
协办单位: 西安交通大学材料学院(XJTU-MSE)、金属材料强度国家重点实验室(SKL-MBM)、微纳尺度材料行为研究中心(CAMPNANO)、SFB917、JARA-FIT
承办单位:
会议议题: 本次研讨会将集中讨论相变存储材料、阻变氧化物、自旋电子材料、二维材料等先进电子材料的电子性质及其在数据存储、内存芯片、类脑运算等方面的应用与发展,内容涵盖实验测量、理论计算、器件设计、工业化发展等多个层面。
【组织结构】
会议主席: Prof. Wuttig, Matthias; Prof. Wei Zhang
组织委员会主席:
程序委员会主席:
会议嘉宾:
【重要日期】
摘要截稿日期:
全文截稿日期:
论文录用通知日期:
交修订版截止日期:
【会务组联系方式】
联系人: 王疆靖
联系电话:
E-mail: campnano@xjtu.edu.cn
通讯地址: 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
邮政编码: 710049
会议注册费:
会议网站: http://mse-en.xjtu.edu.cn/sgmat/
会议背景介绍:

移动电子设备,人工智能,大数据,云计算和许多新兴事物正在迅速改变我们的社会和生活,但海量数据的产生与传输也对数据的存储与处理带来了巨大压力。由于现有的电子设备与计算构架已经接近其性能极限,研发新式计算设备势在必行。新兴的非易失性存储器与神经元计算设备被视为应对数据危机的重要途径。前者打破数据存储与内存之间的界限,极大简化计算设备的存储体系,而后者将从根本上对现行计算体系进行革新,突破传统冯诺伊曼体系从而实现数据存储与处理的统一。

本次研讨会将集中讨论相变存储材料、阻变氧化物、自旋电子材料、二维材料等先进电子材料的电子性质及其在数据存储、内存芯片、类脑运算等方面的应用与发展,内容涵盖实验测量、理论计算、器件设计、工业化发展等多个层面。会议邀请了来自中国科学院、清华大学、复旦大学、南京大学、西安交通大学、中山大学、吉林大学、华中科技大学、北京航天航空大学、深圳大学、亚琛工业大学、明斯特大学、汉堡大学、于利希研究中心、保罗-德鲁德固体电子研究所、莱布尼兹表面工程研究所、莱布尼兹德雷斯顿固态与材料研究所的33位专家学者为大家带来高质量的学术报告。会务组诚挚邀请您参加此次学术盛宴!

征文范围及要求:
会议视频: 暂无视频

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