周惠久论坛——宽禁带氧化物半导体与光电子产业
讲座名称：
周惠久论坛——宽禁带氧化物半导体与光电子产业
讲座时间：
2020-10-29
讲座人：
叶志镇
形式：
校区：
兴庆校区
实践学分：
讲座内容：
周惠久论坛
讲座题目：宽禁带氧化物半导体与光电子产业
讲座时间：2020年10月29日（星期四）09:30
讲座地点：兴庆校区仲英楼 材料学院第一会议室（A247）
讲座人：叶志镇院士
讲座内容：
信息、智能技术发展得益于半导体材料发展。宽禁带半导体材料如氧化锌（ZnO）等作为第三代材料发挥重要作用。ZnO激子束缚能高、大直径单晶且成本低廉，将在紫外发光、透明导电等领域应用。浙大叶志镇院士在ZnO方面做出创新工作：
1. ZnO高效紫外发光：首次提出ZnO的p型掺杂“二元共掺”思路，实现高质量P型掺杂，首创N-Al共掺、N-Li共掺和Na共掺法，大幅提高p-ZnO空穴浓度与稳定性。制备ZnO/Zn0.9Mg0.1O多量子阱室温内量子效率达61%，远高于国际报道（30%），实现高效紫外发光。获国家自然科学二等奖1项，省一等奖3项，引领国际ZnO掺杂和发光研究，39个国家、252个机构跟随。
2. ZnO透明电子技术与高光效LED芯片产业应用：率先开展n型掺杂研究，发明ZnO：Al技术，大幅提高薄膜电子浓度，实现高导电，开发AZO透明电极。与华灿等公司合作研发高光效LED芯片，累计销售106.3亿元，为企业节省7.2亿元。获湖北省发明一等奖。
3. 高光效低成本钙钛矿发光及先进显示：首次提出并证实钙钛矿的激子发光机制，解决了是什么机制发光的国际基础难题。Li掺杂和低维制备提高光效，LED器件3次刷新光效世界纪录。阐明钙钛矿不稳定机理，界面调控生长技术提高稳定性至10个月以上。研究成果领先国内众多研究所高校，为颠覆性的显示技术提供可能性。
主办单位：材料学院 金属材料强度国家重点实验室
握手学术前沿，探究科学奥秘，材料学人在此齐聚，怎能没有你？讲座可盖章！
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