GaN和SiC电力电子技术

讲座名称: GaN和SiC电力电子技术
讲座时间 2016-11-25
讲座地点 中二楼3204
讲座人 张安平
讲座内容
讲座题目:GaN和SiC电力电子技术
讲座时间:11月25日(周五)下午4:10
讲座地点:中二楼3204
讲座人:张安平

讲座人介绍
张安平教授简介:
西安交通大学特聘教授、博士研究生导师,中组部“千人计划”国家特聘专家,科技部重点研发计划咨询专家和总体组专家。1993年获清华大学学士学位,1996年获中科院研究生院硕士学位,2001年获美国佛罗里达大学博士学位。2000年在美国EMCORE公司任研究工程师,2001年5月起在美国通用电气公司任资深研究员(Senior Memberof Technical Staff)。发表一百多篇学术论文,被引用近2000次,拥有美国和国际专利35项。2012年全职回国,在西安交通大学建立了较完整的SiC和GaN功率半导体及其电力电子应用的研究平台,是IEEE功率器件与电路技术委员会成员,功率半导体器件与电路国际会议(ISPSD)、SiC国际会议(ICSCRM)等国际会议的TPC成员。GaN和SiC电力电子技术:光伏发电、电动机车、智能电网等战略性新兴产业在全球范围内蓬勃发展,新能源产业被视为国内实现“蓝天计划”和产业转型升级的支柱产业。用于能源产生、传输、使用的电力电子器件是这些产业的“心脏”和“发动机”,以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)为代表的宽禁带半导体电力电子器件因其电压高、速度快、效率高,被誉为带动新能源革命的绿色能源器件。宽禁带半导体电力电子器件虽小却可以发挥大作用,可谓“高大上”。“高”指的是高压、高效、高频、高可靠性,“大”是指大功率和大功率密度,“上”是比起硅基电力电子器件来说在应用方面又上了新台阶。本报告将重点介绍GaN和SiC在超小型电源、高效率通讯电源、光伏逆变器、新能源汽车、智能电网等领域的应用以及本课题组的相关研究工作。

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